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Si3464DV
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
0.05
I D = 7.5 A
0.04
T J = 150 °C
10
0.03
T J = 125 °C
T J = 25 °C
0.02
T J = 25 °C
1
0.01
0.1
0.00
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
2
4
6
8
0.9
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
45
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
36
0.7
I D = 250 μ A
27
0.5
18
0.3
9
0.1
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0 . 0 0 1
0.01
0.1
1
1 0
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
100
10
1
0.1
Limited by R DS(on) *
T A = 25
Single Pulse
Time (s)
Single Pulse Power (Junction-to-Ambient)
100 μs
1 ms
10 ms
100 ms
1 s, 10 s
DC
BVDSS Limited
0.01
www.vishay.com
4
0.1
1 10 100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
Document Number: 65712
S10-0218-Rev. A, 25-Jan-10
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